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【摘 要】
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目前，Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料因其优异的特性引起了全世界关注。其中可覆盖光谱范围354nm～1720nm的InxGa1-xN材料，在高效率太阳能电池等方面具有广阔的应用前景。尤其是带隙位
【机 构】
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中国科学院大学
【出 处】
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中国科学院大学
【发表日期】
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2013年期
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