为了对比研究不同厂家不同SiGe HBTs器件的总剂量辐射损伤效应以及在不同偏置不同剂量率条件下SiGe HBTs器件的辐射响应规律和潜在的损伤机理,本文选取了四款不同的SiGe HBTs器件,设计了相关实验,利用60Coγ射线对其在不同偏置状态下进行了高低剂量率分别为80rad(Si)/s和0.05rad(Si)/s,总累积剂量分别为1.1Mrad(Si)和1.0Mrad(Si)的电离总剂量辐照实验。实验结果表明,SiGe HBTs具有一定的抗总剂量辐照的性能,且基极电流和电流增益比集电极电流对辐射更敏感。在不同偏置条件辐射下,除了器件NESG260234外基本都表现为基射结反偏损伤最大,零偏次之,正偏最小,可以将基射结反偏作为SiGe HBTs器件的最劣辐照偏置,其潜在的损伤机理可由边缘电场模型来解释。不同剂量率辐照下KT1151器件只表现为时间相关效应,器件KT9041表现出了非常明显的低剂量率辐射损伤增强效应,NESG260234与BFP640ESD在现有的实验数据下剂量率效应不明显,不同的剂量率效应可以由空间电荷模型下高剂量率辐照损伤被抑制来进行解释说明。