锗硅量子点的光学电学特性

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该文研究了GeSi量子点结构的光学特性.从理论和实验上对用分子束外延(MBE)自组织方式生长的Si基Ge量子点的导纳谱进行了系统的分析.同时,运用光电流谱(Photocurrent Spectroscopy,PC)和光致发光谱(Photoluminescence,PL)研究了Si基Ge量子点能级结构.1.简单描述了半导体量子点的光电流谱和导纳谱的理论,并运用变偏压的光电流谱和导纳谱研究了Si基Ge量子点的分立的量子能级结构和库仑荷电效应.2.在分子束外延(MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构,并对样品进行光电流谱的测试.3.用光致发光谱和喇曼散射光谱研究了不同退火条件下Ge量子点的变化情况及在量子点生长过程中伴随量子点出现的缺陷的消除情况.
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