新型宽波段材料三氯锗盐原料合成和晶体生长的研究

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该论文主要对三氯锗盐及其原料的性质、溶液状态等作了细致的研究,对三氯锗盐的合成方法、生长方法进行了探索,对生长出的晶体进行了结构、热学、光学等性能的测试,主要内容和创新点如下:1、对三氯锗盐的原料,中间产物等性质作了细致的研究,改进了合成方法,由以前的多步反应改为在酸性溶液中一步反应,提高了产率,并且反应体系不需要惰性气体.2、首次对三氯锗铆的X射线衍射图进行了指标化,对其晶胞参数进行了计算.3、对三氯锗盐的溶液状态进行了细致的研究,发现三氯锗盐在低酸度溶液中很容易水解并且生成沉淀,因而生长晶体只能在强酸性溶液中进行,对三氯锗盐在不同强酸溶液的显微结晶进行了研究.4、对生长的晶体进行了缺陷观察,发现三氯锗铯晶体中容易有包裹物和云层出现,通过对包裹物附近的成分进行分析,发现这主要是由于在蒸发法生长晶体的过程中,空气容易进入体系,与阴离子反应生成二氧化锗,进入晶相造成的.5、首次对三氯锗铆晶体的结构进行了解析,结果表明,三氯锗铷是正交晶系晶体,Pnma空间群.6、测试了晶体在空气中的稳定性,对三氯锗铷晶体的热机械性能进行了测试,结果表明三氯锗铷的a方向的热膨胀系数是6、c方向的近两倍α<,1>=8.86×10<-5>,α<,2>=4.82×10<-5>,α<,3>=4.64×l0<-5>),这可能是造成三氯锗铷晶体容易开裂的原因.7、对晶体的线性、非线性光学性质进行了理论上的计算,计算结果表明阳离子对晶体的光学性质没有影响,但是由于结构的差异,三氯锗铯和三氯锗铷的光学性质有较大的差异.8、研究了掺杂铯对三氯锗铷晶体生长和性能的影响,发现铯的掺入对三氯锗铷晶体的影响较大,形成了一种新的晶体-Cs<,x>Rb<,1-x>GeCl<,3>,此晶体在保持好的生长特性的同时使晶体结构发生变化,透过截止边红移20nm,粉末倍频试验表明晶体失去对称中心.
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