一维纳米材料因其特殊结构引起的新奇的相关性质和诱人的应用前景而备受关注。很多制备一维纳米材料的方法已经被研究出来并加以应用,其中,模板法是一种制备纳米线阵列的常用且实用的方法,用这种方法已经成功地制备出了多种物质的纳米线阵列。本论文用化学刻蚀方法得到的Si纳米线阵列作为模板和Si源,成功地制备出了多种硅化物的纳米线阵列,包括SiC、Mn27Si47和NiSi,对其结构进行了详细的表征,并在性能研究的基础上探索了其可能的应用前景,具体包括以下内容:　　 第一,通过Si纳米线阵列与石墨粉的直接反应,成功地制备出了具有颗粒堆砌结构的SiC纳米线阵列,研究了其生长机理,该SiC纳米线阵列具有较一般SiC纳米线阵列更大的比表面积,因而表现出较好的光催化效果。　　 第二,通过Si纳米线阵列与MnCl2的原位反应,成功地制备出了Si/Mn27Si47核/壳结构纳米线阵列,其中Mn27Si4,壳层为单晶结构,轴向与其(204)面垂直,并且可以通过控制MnCl2在乙醇溶剂中的浓度来调控Mn27Si47壳层的厚度。研究了Si/Mn27Si47核/壳结构纳米线阵列形成机理和磁性能,发现该结构具有铁磁性,居里温度为150K左右,较块体高锰硅化合物的铁磁性能有了很大的提高。　　 第三,以Si纳米线阵列为模板和Si源,以MnCl2粉末为Mn源,通过热蒸发MnCl2粉末与Si纳米线阵列原位反应成功地制备出了Mn27Si47纳米线阵列,得到的Mn27Si47纳米线为单晶结构,其轴向与(2054)面垂直。研究了Mn27Si47纳米线阵列的形成机理和磁性,发现该Mn27Si47纳米线阵列具有较好的铁磁性,其居里温度在300K以上,在自旋电子器件领域有很好的应用前景。　　 第四,以Si纳米线阵列为模板和Si源,以NiCl2为Ni源,成功地制备出了Si/NiSi核/壳结构纳米线阵列、NiSi纳米线阵列以及Si/NiSi/Ni2Si多层结构纳米线阵列。得到的NiSi纳米线为单晶结构,其轴向与(200)面垂直:得到的Ni2Si相也为单晶结构。并研究了其形成机理,发现Ni原子和Si原子在不同温度下的扩散速率决定了镍的硅化物的生成相。