自石墨烯和类石墨烯过渡金属硫化物研究发现之后,由于其独特的光学、力学、热学、电学等特性,掀起了国内外研究热潮。但是,石墨烯的零带隙限制了其在电子器件领域的应用,单层二硫化钨（WS₂）作为二维过渡金属硫化物代表之一,不仅拥有石墨烯的高的力学强度,高的电子迁移率的特性,而且单层WS₂的2.1eV的直接带隙宽度克服了石墨烯的零带隙的劣势,使其在电子领域有着广阔的应用前景。WS₂的制备是拓展其应用的前提和基础,是当前的研究热门领域之一。本文通过化学气相沉积（chemical vapor deposition,CVD）制备了单层WS₂,并通过光学显微镜、拉曼光谱仪、光致发光谱等技术对制备的WS₂进行了研究,主要研究内容:（1）通过常压化学气相沉积方法在二氧化硅（SiO₂）/硅（Si）衬底上制备了WS₂,并分别从气体流量、硫质量、三氧化钨质量、生长温度、前驱物之间的距离五个生长参数讨论和分析了其对制备获得的产物以及制备产物的形貌的影响,并不断优化生长参数,得出制备单层和形状规则的三角形WS₂薄膜的条件。（2）对化学气相沉积制备的单层WS₂薄膜进行退火研究。首先在真空环境下进行退火,然后对不同温度退火下的WS₂进行了光致发光谱,扫描电子显微镜和拉曼光谱的表征,最后经分析发现在300℃的温度下进行退火处理可以导致其荧光强度成倍增强,说明退火在一定程度上可以提高单层WS₂薄膜的光学性能。（3）通过激光直写技术制备基于化学气相沉积生长的单层WS₂薄膜的器件,研究了WS₂薄膜器件的电学和光学特性。测试了WS₂薄膜器件的输出曲线和转移曲线,通过曲线图分析得出薄膜器件具有N型和优异的栅极调控特性,同时,在激光的照射下,发现WS₂薄膜器件有光电流产生,并从器件的光响应曲线图得到光响应时间,表明了WS₂薄膜器件具有优异的光电特性。