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随着半导体晶体生长技术的发展,目前已经能够生长出高质量的量子阱材料.近些年来,基于量子理论的光电子器件也得到了迅速发展,正在成为一个比较活跃的研究课题.人们在考虑到光电集成时,希望能在一个单片的各个区域实现能带宽度选择性调节.该文为了制作"与偏振无关、低传输损耗的光开关器件"而研究的"利用离子注入实现量子阱材料带隙蓝移"实验方法正是解决这个问题的方法之一.