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SOI技术除了具有抗辐照、耐高温的特性以外,还具有寄生电容小、小尺寸效应小、亚阈特性好等突出优点,天然地适合低压、低功耗集成技术的需要,有望成为未来ULSI中的主流技术.SOI器件的建模问题对SOI电路的电子设计自动化(EDA)具有重要的意义,是目前研究的热点之一.该论文深亚微米全耗尽(FD)SOI器件,从表面热模型、阈值电压模型、漏电流特性模型、非本征效应模型、模型参数提取与可靠性分析等几个方面进行了研究.