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来源 :北京大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
随着MOSFET技术进入纳米尺寸范围内,预计1-2年内25nm尺寸晶体管将上市。由于双栅(DG)MOSFET具有高速度、低功耗等优点,使得它成为纳米尺寸下的主流器件。对于缩小到纳米尺寸
【作 者】
:
张秀芳
【机 构】
:
北京大学
【出 处】
:
北京大学
【发表日期】
:
2012年期
【关键词】
:
本征参数
纳米尺寸
线边缘粗糙度效应
涨落效应
数值模拟
晶体管
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