钛酸钡系列的铁电陶瓷由于其特殊的钙钛矿结构（ABO₃）而具有了极高的介电常数、较低的烧结温度和相变温度、小的介电常数随温度变化率等优良特性。在其B位上引入一些杂质离子将会改变其的铁电性质。本文采用传统的固相反应烧结工艺制备了BaY_x(Ti_0.9Sn_0.1)_1-xO_3-δ （x=0, 0.1%, 0.2%, 0.4%, 0.6%, 0.8%, 1.0%）七个组分的陶瓷,利用XRD、XRF、Raman光谱等方法对其物相和结构进行了分析,并对其介电性能进行了测试。主要研究了该系列陶瓷的相变行为和内部结构。XRD的分析结果显示室温下陶瓷的晶型为单一的四方相。晶胞体积没有明显变化,说明Y替代的位置为B位。因为如果替代的位置是A位,那么将会产生Ti空位进而使晶胞体积有巨大的变化。掺杂后陶瓷的变温拉曼光谱显示随掺杂量的增加钛酸钡的各个特征吸收峰产生明显的频移。对于特定组分的变温拉曼光谱,显示在323K附近陶瓷开始由四方相进入立方相,原来的四方相的特征吸收峰开始消失而这一变化规律同介电性质随温度的变化规律基本吻合。0.1%和0.1%Y掺杂的陶瓷的介电系数随着掺杂量增加而变小,然而相对于0掺杂的陶瓷介电系数有明显的提升。但是介电峰的位置并没有明显的移动,反映出Y离子的替代位置为B位,因为如果三价离子占到A时候势必将改变陶瓷的相变温度。当掺杂量到了0.4%时测其介电性质时产生强烈的振荡现象,说明陶瓷已经成为半导体不再属于介质。