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本文从有机薄膜晶体管（OTFT）器件的结构设计与制备出发，对OTFT器件的相关参数进行了合理设计，制备了具有不同沟道宽长比的 OTFT器件。器件采取底栅下电极结构，以酞菁铜为有机半导体层，二氧化硅为绝缘层，钛/金双层膜为源漏电极，电极采用叉指结构。研究并分析了OTFT器件的稳定性及器件参数对器件性能的影响，并实现了OTFT器件在气体传感器方面的初步应用。 在器件的设计与工艺实现方面，重点研究了制备OTFT器件的刻蚀工艺，结果表明：物理轰击强烈的ICP干法刻蚀不适合用于刻蚀钛/金电极，而湿法刻蚀是一种比较合适的工艺，工艺条件KI:I2:H2O=4:1:40和HF:HNO3:H2O=1:1:5分别为刻蚀金和钛（关键尺寸：5微米）的相对最佳工艺条件，刻蚀后材料表面干净，关键尺寸线条清晰，横向钻蚀和误差较小，最大绝对误差0.21μm，最大相对误差是4.2％。 在OTFT器件特性研究方面，重点研究了OTFT器件的稳定性和沟道宽长比对器件性能的影响，结果表明：(a)基于酞菁铜的OTFT器件置于空气中时，在其他条件不变的情况下，载流子浓度和体电导率逐渐增大，载流子迁移率几乎不受影响，相同栅极电压下器件达到饱和状态所需的源漏极电压增大，线性区向饱和区推进。阈值电压减小，在栅极电压为0时，界面处逐渐形成导电沟道，器件从增强型向耗尽型转变。(b)基于酞菁铜的OTFT器件的沟道宽长比不是影响载流子迁移率的主要因素，在其他条件相同的情况下，阈值电压随着宽长比的增大而减小，而漏电流随着沟道宽长比的增大而增大，源漏极间电压在一定范围内开态电流也随沟道宽长比增大而增大。在此基础上，实现了OTFT器件在气体传感器方面的初步应用，测试并研究了OTFT器件对一定浓度的H2S气体的气敏特性，结果表明基于酞菁铜的OTFT器件对被测气体具有较好的响应与恢复特性。