【摘 要】
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为了开发SiC基非紫外光控器件，可用对可见光和近红外光有较强吸收的Si作为光吸收层构成Si/SiC异质结。本文针对制备方法，探索用金属诱导晶化非晶硅法制备Si/SiC异质结的可行性，
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为了开发SiC基非紫外光控器件，可用对可见光和近红外光有较强吸收的Si作为光吸收层构成Si/SiC异质结。本文针对制备方法，探索用金属诱导晶化非晶硅法制备Si/SiC异质结的可行性，并研究改善Si薄膜结晶品质的方法。 首先利用PECVD系统，在SiC衬底上制备a-Si:H薄膜。薄膜的生长温度区间为65～300℃，生长时间45min。样品的红外吸收谱表明Si-H的组态为SiH2，且随着温度的升高，a-Si:H薄膜中的氢含量减少。紫外可见光分光光度计测试结果表明在65～300℃的温度区间内，薄膜的淀积速率先减小后增大再减小。由此选定a-Si:H薄膜的生长温度为250℃，此温度下a-Si:H薄膜有较小的含氢量且淀积速率较快，45min的薄膜厚度为350nm。 然后，在a-Si:H薄膜上磁控溅射淀积一层Ni金属薄膜，最后在不同温度下利用Ni将a-Si:H薄膜诱导晶化成多晶Si薄膜，以制备Si/SiC异质结。用裸膜和覆盖有金属诱导膜的样品在相同条件(600℃、3h)下进行的实验证实了金属Ni薄膜对非晶Si的晶化确实产生了诱导作用。拉曼光谱和XRD测试结果表明，诱导温度为600℃、时间为3h的样品结晶质量相对最好。
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