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[摘要] 目的 观察低能量He-Ne激光疗法对脑缺血再灌注大鼠的影响。 方法 应用低能量He-Ne激光经鼻腔照射(输出激光波长为632.8nm，功率为3.5-4.5mW，每日一次，每次10分钟，分别治疗 7次)治疗线栓法所制作的大鼠脑缺血再灌注模型，采用原位杂交方法检测脑组织NGF的变化，采用免疫组织化学方法检测脑组织NGFR的变化。72只Wistar大鼠随机分为四组：正常对照组、假手术组、激光治疗组、缺血再灌注组。其中缺血再灌注组分为4h、1d、3d、7d、14d组。 结果 1. 原位杂交检测NGF在正常神经元能少量表达mRNA杂交信号，缺血再灌注组4h NGFmRNA表达开始增加(p<0.05)，3d达到高峰(p<0.001)，以后开始下降。2. 免疫组化检测NGFR在正常组皮质细胞未见表达，纹状体区有少量表达。缺血再灌注4h皮层细胞出现表达(p<0.05)，3d达到高峰(p<0.001)，以后开始下降。纹状体区表达未增加。3. 低能量He-Ne激光经鼻腔照射治疗后与对照组比较，NGF与NGFR表达无明显变化(p>0.05)。4. 经He-Ne激光治疗7天，缺血再灌注大鼠的意识、反射行为及步态等方面进步明显，神经行为评分有明显变化(P<0.05)。 结论 NGF与NGFR表达参与缺血再灌注后脑组织的保护作用，低能量He-Ne激光治疗对缺血再灌注大鼠有较好的治疗作用，但对NGF与NGFR表达无明显影响。.