本文采用Pechini法制备CaCu3Ti4O12 (CCTO)单相材料,并研究其对材料介电性能的影响；还分别研究了Zr和FeNb掺杂对CCTO材料介电性能的影响。实验结果表明,Pechini法被成功应用于制备单相的CCTO粉体。与固相反应法相比,Pechini法制备CCTO粉体的合成温度比较低,反应时间也比较短。在介电性能方面,Pechini法制备的样品的介电常数比固相反应法的样品高出倍,损耗也比固相反应法的小。通过阻抗分析发现,Pechini制备的样品的晶界电阻率比固相反应法的高,而晶粒电阻率比固相法的低。Pechini法也被成功地应用于制备CaCu3(Ti1-xZrx)4O12 (x=0,0.01,0.02,0.03)粉体。Zr的掺入使得材料的低频(f≤105Hz)介电常数降低,而高频(f≥107Hz)介电常数并没有明显的变化。Zr掺杂的样品的低频介电弛豫在室温下能够被观测到。通过一个等效电路模型分析发现,Zr的加入使样品的晶界电阻率降低,导致低频弛豫的特征频率提高,结果很可能使样品在室温下具有较大的低频响应。通过固相反应法成功地制备了FeNb共掺杂的CCTO单相材料CaCu3(Ti1-xFex/2Nbx/2)4O12(x=0.06,0.1,0.2,0.5)。FeNb的掺杂水平的不同对CCTO介电性能影响不一。在1KHz频率下,6%和10%的掺杂量使CCTO的室温介电常数减小,损耗提高；20%和50%的掺杂量使其室温介电常数增大,损耗也增大。与纯CCTO相比,所有FeNb共掺杂的样品介电常数的频率稳定性都很低。通过对样品的室温阻抗谱分析发现,FeNb掺杂水平越高,样品的晶界电阻率越小,而晶粒电阻率越大。晶界电阻率变小导致材料的低频特征频率向高频方向移动,而晶粒电阻率变大导致材料的高频特征频率向低频方向移动,这很有可能是导致样品的介电常数的频率稳定性降低的原因。