P型硅衬底异质结电池制备和氢气退火本征非晶硅层对HIT电池性能的影响

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【摘要】

：

带有本征薄层的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer,HIT)电池的结构特点是在PN结之中加入一层本征氢化非晶硅薄膜。HIT电池具有晶硅电池高效和薄膜电池工艺简单的优点。松下公司宣布的最新HIT电池效率高达25.6%,该电池面积为143.7cm2,而目前晶硅电池效率记录为20.4%。本文研究的是P型硅片为衬底的异质结电池和N型硅片为衬底的单面HIT

【作者】

：

司嘉乐

【机构】

：

郑州大学

【发表日期】

：

2015年04期

【关键词】

：

PECVD HIT电池晶化率暗电导率退火处理

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