用化学气相沉积法(CVD)成功制备了Sn02和MnxSn1-xO2纳米线及纳米带,探索了制备锰掺杂纳米线和纳米带的条件和工艺。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、拉曼散射(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS)等表征手段,详细研究了样品的形貌、微结构、成分和价态；利用光致发光谱仪(PL)研究了样品的光学性质；利用超导量子干涉仪(SQUID)研究了样品的磁性。并详细讨论了纳米线和纳米带样品的生长机理和磁性来源。得出主要结论如下：1.利用化学气相沉积法,在Si衬底上制备了SnO2和MnxSn1-xO2纳米线和纳米带样品。其中纳米线直径在30 nm左右,纳米带厚约100 nm,宽500 nm,纳米线和纳米带都表面光滑,直径在轴向上没有明显变化,长度大于40μm。2.XRD结果显示SnO2和MnxSn1-xO2纳米线和纳米带都是四方金红石结构,没有Mn单质和氧化物的峰出现。3.XPS结果显示锰是以Mn3+和Mn4+的形式替代SnO2中的Sn4+进入样品晶格中的。4. HRTEM和SAED结果显示Mn掺杂Sno2纳米线是单晶结构,生长方向沿[101]方向。5.探讨了纯氧化锡和锰掺杂氧化锡两种一维纳米结构的生长机理,认为氧化锡纳米线和纳米带的生长机理是传统的汽-液-固(VLS)机理,而锰掺杂氧化锡纳米线和纳米带则是汽-固(VS)机理控制其生长,其中详细分析了锰掺杂氧化锡纳米线和纳米带遵循VS生长机理的生长过程。6. MnxSn1-xO2纳米线及纳米带样品具有室温铁磁性,磁矩较小,为0.0042μB/Mn,在低温时增加了约十倍。样品的磁矩随着掺入量的增加而增加(emu/g)。结合XRD、TEM、XPS测试结果可知,样品室温铁磁性是内禀的。可用F-center模型来解释样品的磁性来源。