氢化非晶硅薄膜（a-Si:H）是近二十年来发展起来的一种新型的功能材料，在新能源和信息显示等高科技技术领域起着日益重要的作用。然而，光致退化效应严重限制了它的进一步发展和应用。人们做了大量的研究工作，试图弄清其微观机制，但迄今为止仍然没有一致性的结论。随着研究的深入，人们越来越认识到非晶硅薄膜的亚稳特性与硅网络的无定型结构以及其中所含的氢有关。 本文主要对采用微波电子回旋共振化学气相沉积（MW-ECR CVD）系统制备的a-Si:H 薄膜进行了光电特性的测试研究工作。本论文的研究内容主要有三大部分组成。第一，对实验设备进行简单介绍；第二，通过分析不同制备工艺条件对薄膜光电特性的影响，调整工艺参数，进而改进实验设备采用热丝辅助 MW-ECRCVD 系统以制备出高质量的 a-Si:H 薄膜；第三，通过傅立叶变换红外谱和微区拉曼谱对薄膜微结构进行研究，分析光电特性各异的薄膜材料的微观表征。 影响 a-Si:H 薄膜光电特性的因素很多，我们分析了氢稀释比率、衬底温度、热丝温度以及有无热丝对薄膜光敏性和稳定性的影响。 非晶硅的光电特性与薄膜的成分和微结构有着非常密切的关系。a-Si:H 薄膜中 H 的掺入使得非晶硅的光电特性发生了根本性的变化。大量实验表明，a-Si:H 薄膜的光致衰退与薄膜中的 SiH2 键合态的含量有很好的对应关系，SiH2键合态的含量越高，薄膜的光致衰退效应越显著。而光敏性的提高主要是薄膜中多氢化合物（SiH2）n、Si-Si 弱键以及氢含量的减少所致。 实验表明，采用适当温度的热丝进行辅助，可使 a-Si:H 薄膜中 SiH2键合态含量及含氢量均大幅度降低。当热丝温度为 1450℃时可以获得光敏性高达 105，并且稳定性良好（50min 仅衰退 25％）的 a-Si:H 薄膜。