【摘 要】
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该文工作采用JGP500A型超高真空多靶磁控溅射设备以及射频溅射方式,制备了Ge/Si多层膜及GeSi单层膜.采用常规电阻丝又通加热炉加热方式,让样品在真空石英管中分别进行恒温不
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该文工作采用JGP500A型超高真空多靶磁控溅射设备以及射频溅射方式,制备了Ge/Si多层膜及Ge<,x>Si<,1-x>单层膜.采用常规电阻丝又通加热炉加热方式,让样品在真空石英管中分别进行恒温不时间和恒时不同温度的真空退火,制备出一系列纳米Ge晶粒镶嵌Ge/Si薄膜.通过X射线小角衍射光谱和Raman光谱等结构分析手段对其结构特征进行了检测分析.进一步通过计算机拟合纳米Ge晶粒的表面界面效应以及由晶格膨胀引起的应变效应对散射峰的影响,为进一步用磁控溅射技术和热退火处理方法制备出高质量的纳米Ge晶粒镶嵌薄膜创造了条件.
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