铁电存储器以其优越的存储特性得到了广泛的关注，其中应用和研究最为广泛的铁电材料是锆钛酸铅Pb(Zr1-XTiX)O3(简称PZT)，具有较低处理温度和很高的自发极化强度，但是由于PZT薄膜抗疲劳特性差以及含重金属铅，易挥发，会对环境和人体造成危害。近年来，层状铋材料以SrBi2Ta2O9(SBT)、Bi4-xLaxTi3O12(BLT)为代表，特别是后者在制备温度，铁电特性和抗疲劳方面都明显优于前者，被广泛认为最具有应用前景的铁电材料之一。引起了人们更多的关注。 本文采用溶胶-凝胶(sol-gel)方法制备了Bi4-XLaXTi3O12(BLT)薄膜，简化并改进了制备工艺，在铂金衬底上制备BLT薄膜，通过最终退火温度和Bi含量下制备出薄膜的铁电性能进行比较分析，优化BLT薄膜的铁电性能。最终得到剩余极化2Pr和矫顽场Ec分别为：32.5μC/cm2，72kv/cm，测试电场300kv/cm。 本文对BLT薄膜的可靠性进行分析：众所周知，Bi3.25La0.75Ti3O12是无疲劳的，但是当组分偏离时薄膜疲劳。本文分析了Bi3.53La0.47Ti3O12薄膜疲劳的物理机理，在双极性电场中通过测试不同频率下的疲劳谱(2Pr-N)，当测试频率较低f=100 Hz时2Pr出现一个峰值，证明了薄膜的疲劳分布是存在畴壁钉扎和退钉扎的竞争机制的，它们的系数由缺陷和畴壁相互作用决定。采用快速极化保持测量法证明了界面层对Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜性能的影响并根据模型和试验结果拟合出常温下不同电极面积和不同温度界面层电容值。