【摘 要】
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该论文中,首次采用射频磁控溅射在有机衬底PI上成功地制备出SnO:Sb透明导电膜.研究了溅射功率、溅射气体压强以及溅射气体中氧气的分压比例等工艺参数对制备膜的结构和光电性
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该论文中,首次采用射频磁控溅射在有机衬底PI上成功地制备出SnO<,2>:Sb透明导电膜.研究了溅射功率、溅射气体压强以及溅射气体中氧气的分压比例等工艺参数对制备膜的结构和光电性能的影响.研究了衬底温度对薄膜结构和光电性质的影响.随着衬底温度的升高,薄膜的晶粒变大,薄膜的迁移率和载流子浓度增大,电阻率下降,可见光透过率提高.当衬底温度高于200℃后,过高的温度会损害衬底,导致薄膜性能的下降,因此PI衬底温度控制在200℃以下.首次采用射频磁控溅射在PPA衬底上低温制备出Zn-Sn-O透明导电膜.研究了溅射功率、溅射气体中氧分压等工艺参数对制备膜的结构和光电性能的影响.
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