本论文以银纳米线阵列作为研究对象，着重研究了银纳米线阵列的制备及其形貌，结构以及光学性能等。实验中，我们用透射电子显微镜(TransmissionElectron Microscopy)，高分辨透射电子显微镜(High-Resolution TransmissionElectron Microscopy)，扫描探针显微镜(Scanning Probe Microscopy)表征样品形貌，用X射线衍射(X-ray Diffraction)分析材料的结构，用紫外可见分光光度计(UV-Vis spectrometer)测量材料光学性能。主要的研究工作包括以下两个方面：　　 1银纳米线阵列的制备及结构　　 采用醋酸银或硝酸银为电解液，利用电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板(Anodized Aluminum Oxide)中沉积银纳米线，成功制备了直径约为二十纳米，长约为两微米的纳米线阵列以及类似大小的Y结构阵列。控制电压与时间，用两步法制得不同孔径，孔间距，孔深的氧化铝模板，再配适当的银盐溶液，用电化学方法沉积银纳米线。通过处理，去除多余的铝，得到镶嵌于透明氧化铝中的银纳米线阵列。　　 2银纳米线阵列的光学性能　　 通过紫外可见分光光度计测量它的光学吸收谱，得到不同于一般银纳米线阵列只能在紫外区吸收的测量结果，发现未扩孔氧化铝模板制得的纳米线阵列和Y结构阵列在紫外区和可见光区均有吸收。通过电镜观察到纳米线阵列中存在弯曲结构，并结合几个对比实验，合理解释此反常吸收谱。