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该论文采用超低压化学气相延(VLPCVD)技术,利用自组织生长原理,在硅、二氧化硅表面上制备锗纳米结构,并研究这些纳米结构的形成和演化特征;在对硅基纳米结构存储器电荷注入和存储物理过程研究的基础上,提出了采用锗/硅复合纳米结构代替硅纳米结构作为MOSFET存储器电荷存储单元的新思路.在实验上,通过多步生长与化学选择腐蚀相结合制备锗/硅复合纳米结构,并利用MOS电容测量研究存储器的电学特性.