ZnO薄膜和纳米晶须的制备及性能研究

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【摘要】

：

21世纪的技术要求器件小型化甚至小至纳米尺寸,而其最终的性能要显著增强。这一要求带动了纳米材料的快速发展。纳米材料独特的性质和优异的性能由其尺寸、表面结构及粒子间的相互作用决定。在众多的纳米材料中,ZnO作为一种直接宽禁带(3.37 eV)半导体材料而备受关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物,具有低介电常数、高化学稳定性等许多优点,在透明导电薄膜、气体传感器和声表面波器件等方面有着广泛用途。本论文以Z

【作者】

：

尉静

【机构】

：

山东师范大学

【发表日期】

：

2010年04期

【关键词】

：

脉冲激光沉积 ZnO薄膜 T—ZnOw 晶粒度表面形貌

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