随着计算机工业的发展，纳米结构电子器件的应用也变得越来越广泛。在小器件结构中电子输运的性质也变得益发重要。在本文中，我们研究了介观Ahatonov-Bohm环结构在外扰下的输运性质。 Aharonov-Bohm环系统中的交流响应可以通过在样品的端口处加一个随时间振荡的电压或者在环的中心加一个随时间振荡的磁通获得。样品内的电势对于电化学势的敏感性产生了电化学emittance，而它对所加磁通的响应导致了磁通引起的emittance。 我们推导出单环和双环结构的散射矩阵来获得它们的直流电导。为了得到它们的交流电导，我们采用了Büttiker发展的在低频低压情况下的交流输运理论。数值计算结果表明，透射几率、动力学电导和特征函数都是入射粒子能量以及所加磁通的函数。我们仔细研究了电化学emittance和磁通引起的emittance的一些重要物理性质。 整篇文章的结构如下：首先，我们给一个简短的绪论。第二部分回顾了散射矩阵理论，该理论第一次考虑了在交流情况下电导的虚部。在第三部分，我们给出了单环和双环结构中交流电导的解析推导和数值计算结果。最后，我们有一个结论和展望。