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基于有机铅三卤化物的钙钛矿太阳能电池作为新兴光电技术的代表,吸引了大量科研团体的关注。在钙钛矿太阳能电池的工作过程中,钙钛矿光吸收层起着重要的作用。本文利用两步连续沉积工艺制备了无Pbl2杂相的CH_3NH_3PbI_3薄膜,优化制备工艺条件,并研究了工艺参数对薄膜光电性能的影响。首先,利用两步连续沉积法生成CH_3NH_3PbI_3,并在75℃条件下退火制备CH_3NH_3PbI_3薄膜,研究制备工艺对薄膜性能的影响,结果表明,本文制备的CH_3NH_3PbI_3薄膜为具有立方钙钛矿结构的CH_3