【摘 要】
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Ⅲ-Ⅴ族半导体合金中的有序结构最早于1985年由T.S.Kuan在AlxGa1-xAs合金中发现后,成为国际上新的研究热点,已有了越来越多的研究。三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金在一定的生长条件下,可自发形成沿方向CuPt类型的长程有序结构。有序结构以其独特的性质引起人们极大的兴趣,在理论和应用方面都做了相当多的探讨。一般在可见光的发光二极管和激
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Ⅲ-Ⅴ族半导体合金中的有序结构最早于1985年由T.S.Kuan在AlxGa1-xAs合金中发现后,成为国际上新的研究热点,已有了越来越多的研究。三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金在一定的生长条件下,可自发形成沿<111>方向CuPt类型的长程有序结构。有序结构以其独特的性质引起人们极大的兴趣,在理论和应用方面都做了相当多的探讨。一般在可见光的发光二极管和激光器中为了达到最大的发光效率和发光峰能量,要尽量避免有序化的影响。但是有序化在光电器件中也有很大用途,如有人提出一种无序/有序/无序的Ga0.5In0.5P发光二极管结构。有序/无序在高效率的光电池方面也有广泛用途。在超高亮度二极管方面有重要应用。四元AlGaInP合金更是因为其在与GaAs衬底匹配的Ⅲ-Ⅴ半导体合金中有最大的直接带隙而受到更多关注。 在本文中我们应用多种实验方法,包括光致发光谱（PL）、光致发光激发谱（PLE）、极化PL谱和喇曼光谱,探讨具有CuPt有序结构三元GaxIn1-xP（x=0.52）和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P（x=0.29）合金的光学性质。论文主体由四部分组成。 论文第一部分简要介绍了有序结构的由来、性质和一些影响有序结构的因素,如生长方法、生长温度、衬底取向、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率、压力等。对有序结构的理论研究也作了简要介绍,另外,还列出一些由有序化导致的独特的实验现象,包括带隙降低、发光峰随激发功率增强的蓝移效应、价带分裂、带折叠效应、温度的反
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