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结合电子元件和磁性元件的自旋电子学器件已在信息存储中广泛使用,其中磁电阻效应可谓基础研究的重大发现迅速转化成实用产品的典范。与此同时,电致阻变效应也被认为是下一代非易失性存储器的候选者。在一个体系中同时实现电致阻变和磁电阻效应将有利于进一步提高存储密度、实现多态存储。本文设计并制备了以SiO_2为基的Pt/SiO_2-Co/Au和Pt/SiO_2-Co/ZnO-Co/Au样品,研究了它们的电致阻变效应及其对磁电阻和磁性的影响。(1)设计并制备了一系列具有不同SiO_2和Co含量的[Co(0.6 nm