微电子学已经深入到现如今的千家万户,与每个人的生活息息相关,几乎每个人都离不开手机、电脑、电视等电子产品。而随着几十年的研究发展,现如今的微电子技术也面临着很多问题。随着量子反常霍尔效应和量子自旋霍尔效应的提出,低维材料也受到越来越多的研究者的关注。实现低维材料中的更高效的自旋输运,就代表着实现更小的电子器件,更高效的能量传输,更快速的信息传递。所以低维材料中的自旋输运也是近几年的研究热点之一。本文中着重利用自旋翻转理论和第一性原理计算来分别分析有机半导体薄膜结构器件和外尔半金属TaAs两种典型的低维薄膜结构,通过公式和数据结果给出关于有机半导体薄膜结构器件的电子自旋输运和外尔半金属TaAs的电导率和塞贝克系数。本文主要研究内容有:(1)建立新的双T型铁磁/有机半导体/铁磁结构模型,通过理论公式的推导来说明双T型铁磁/有机半导体/铁磁结构模型中的自旋注入情况。(2)将具体数值带入推导出来的公式,通过自旋双T型铁磁/有机半导体/铁磁结构模型中的自旋极化流极化率的变化曲线来研究结构中的自旋输运跟各个变量之间的关系。(3)对构建的TaAs模型进行第一性原理计算,在能带图中得到狄拉克点的情况下对TaAs材料的电导率进行研究,不仅给出TaAs的具体数值,同时,给出了TaAs材料的电导率在密度矩阵中的各方向分量在不同情况下对各变量的变化曲线。(4)在对TaAs模型进行第一性原理计算时,还研究了TaAs材料的塞贝克系数,通过给出具体数值和对各变量的变化曲线来进一步加深我们对TaAs的了解,为实验研究打下理论基础。