【摘 要】
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该文针四元系AlGaInP高亮度发光二极管外延材料结构设计、MOCVD材料外延生长及器件制备等方面,开展了一系列研究工作.全文共分六章,简单阐述了MOCVD基本原理、发展历史和在光
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该文针四元系AlGaInP高亮度发光二极管外延材料结构设计、MOCVD材料外延生长及器件制备等方面,开展了一系列研究工作.全文共分六章,简单阐述了MOCVD基本原理、发展历史和在光电子材料和器件中的作用;对四元系AlGaInP高亮度发光二极管发展过程和发展趋势进行了描述;从理论和基本原理开始,提出了一些提高AlGaInP高亮度发光二极管外延材料和器件发光性能的结构设计思想.通过大量实验证明,这些新思想和新结构,可有效地提高LED的发光效率和稳定性,取得了很好的器件结果.
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