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氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带宽度半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV、激子束缚能高达60 meV。由于ZnO材料来源广泛,制备成本较低,所以在太阳能电池透明导电电极、气敏传感器和压电器件等领域具有广泛的应用前景。现在,研究人员对于在不同工艺条件下ZnO薄膜的形核机理和生长特性缺乏系统的研究。因此,研究ZnO薄膜的生长行为,对于控制ZnO的生长过程和微观结构及改善薄膜的物理性能具有重要的意义。所以本文考察了氧化温度、氧化时间、薄膜厚度对ZnO薄膜的影响对比了有无6T强磁场下及不同磁场强度(6 T、8 T、12 T)的变化对ZnO薄膜结构和性能的影响。利用场发射扫面电镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了观察,X射线衍射仪(XRD)对薄膜的物相结构进行了表征,利用了紫外可见分光光度计、振动样品磁强计(VSM)、四探针对薄膜的光性能、磁性能和电性能能进行了检测。最终,研究结果表明：(1)氧化法形成的ZnO薄膜呈现出近珊瑚状的表面形貌。6T强磁场能在一定程度上抑制ZnO的团聚。这种影响在氧化温度为500℃条件时最为明显。(2)氧化法制备的ZnO薄膜都表现出在紫外光范围内低的透过率,可见光范围内高透过率(80%)的特性。在相同的氧化温度、氧化时间、薄膜厚度条件下,6T强磁场会改变ZnO薄膜的光性能。(3)不同磁场强度对薄膜的结构和性能的影响效果不同,都会抑制部分短棒状ZnO的生长,增加了薄膜的表面粗糙度,减弱光透过率。(4)6T强磁场促进了过渡层中Co向ZnO薄膜中的扩散。使强磁场下制备的ZnO薄膜表现出更强的室温铁磁性,在80 K-300 K范围内的电阻率较大。