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等离子体源离子注入鞘层动力学行为的数值模拟研究
【摘 要】
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等离子体源离子注入(Plasma source ion implantation)技术作为冷等离子体表面改性处理的一种方式,广泛应用在半导体PN结制备、金属表面抗腐抗磨处理和绝缘材料隔氧隔水优化等工业生产中。在实际工艺过程中,在注入材料表面形成的等离子体鞘层的特性对材料改性效果有很大影响。因此,有必要从理论上深入研究PSII过程中鞘层的演化特点。本文结合PSII技术在绝缘材料中的应用,采用数值模拟
【机 构】
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大连理工大学
【出 处】
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大连理工大学
【发表日期】
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2019年01期
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