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纳米GaP材料同常规GaP材料相比，在物理和化学性质上有着较大差异，使得纳米GaP材料在纳米光学器件、纳米微电子器件等方面有着潜在的应用价值。本文采用苯热法合成纳米GaP粉体，对纳米GaP粉体的光学性质进行了研究，并制备了纳米GaP/聚乙烯吡咯烷酮复合薄膜。
通过测试纳米GaP粉体的紫外—可见光吸收光谱和荧光光谱，对其直接带隙、间接带隙及El能级进行了分析；荧光光谱测试清晰地表明轨道—自旋耦合分裂效应导致纳米GaP粉体的价带分裂。光散射为常规材料所没有的现象，本文运用三流理论对纳米GaP粉体的吸收系数(Ea)和散射系数(Es)进行了分析，计算了Ea/Es。
利用表面增强拉曼光谱，研究了碱性品红在纳米GaP粉体表面上的吸附取向；在表面增强拉曼光谱中出现了P-O-C+键或Ga-O-C+键振动模式。
采用三种不同类型的分散剂对纳米磷化镓(GaP)粉体进行分散，并用抽滤后测量吸光度的方法来比较分散效果，研究了纳米GaP粉体在水中的分散性。并在此基础上制备了纳米GaP/聚乙烯吡咯烷酮复合薄膜，研究了复合薄膜的光吸收和光发射性质。