基于一维微纳米结构的记忆与光电器件

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各种新颖的纳米结构与材料是未来构建各种小型化,集成化的光子学,电子学器件的有力竞争者。其中,多样化的一维纳米结构引起了相当广泛的关注,它们在力、热、光、电、磁等方面有着独特的物理性能。在本文中,我们尝试用多种方法,合成了几种典型的一维纳米材料,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),紫外-可见吸收光谱(UV-Vis),显微光致发光(μ-PL),X射线衍射(XRD)等多样手段对样品的形貌结构与物性做了分析测试。   具体来说,我们首先采用有机弱还原剂方法,在以PVP(乙烯基吡咯烷酮)为表面活性剂的液相环境中合成了五重孪晶形貌的单晶银纳米线。通过调整不同原料的配比,反应温度等条件,考察了调控Ag纳米线的形貌的途径。其后,我们采用低压化学气相沉积法(CVD)合成了氧化锌一维纳米结构。在此基础上,考虑自下而上的器件组装模式,运用光刻微加工,薄膜沉积方式构建了一维半导体纳米器件,对其做了电输运性能测试,得到了具有记忆效应的开关器件模型,最后将显微光荧光与电子学测试手段结合,研究了电学方法调制微型光学器件的新途径。
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