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In2O3作为优秀的半导体材料在光催化领域,例如在光催化水产氢、产氧反应中具有良好的应用。但是由于In203较大的禁带宽度阻碍了其在光催化方面的应用,所以想要提高光催化反应活性,减小In2O3的禁带宽度显得十分必要。研究表明,N的掺入能够有效减小In203的带隙,过渡金属阳离子掺杂可以降低导带的位置,同样可以起到减小带隙的作用。同时,元素掺杂将引入新的能级或缺陷,严重影响光生载流子的复合,从而影响光催化效率。本论文采用含有In的金属-有机骨架材料sod-ZMOF作为前躯体制备N掺杂In2O3和N、C