【摘 要】
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氧化锌是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV、激子结合能为60 meV。如此优越的光学性能,使它成为近年来人们研究的热点材料之一。而多孔氧化锌由于其大的比表面积,使其具备了一般材料所不具备的卓越性能,在传感器、超疏水材料、光催化降解污水、燃料敏化太阳能电池、场发射装置等方面有着广泛的应用前景。本文应用脱合金法,结合陶瓷化制备具有层片状搭接的骨架结构的多孔氧化锌材料,并应用SE
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氧化锌是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV、激子结合能为60 meV。如此优越的光学性能,使它成为近年来人们研究的热点材料之一。而多孔氧化锌由于其大的比表面积,使其具备了一般材料所不具备的卓越性能,在传感器、超疏水材料、光催化降解污水、燃料敏化太阳能电池、场发射装置等方面有着广泛的应用前景。本文应用脱合金法,结合陶瓷化制备具有层片状搭接的骨架结构的多孔氧化锌材料,并应用SEM、XRD、压汞、紫外-可见分光光度计、荧光光致发光(PL谱)等多种检测手段对多孔氧化锌的多孔形貌结构、
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