近几年FLASH存储器的销量不断增长,NAND FLASH是现在市场上最主要的非易失闪存技术,但是NAND FLASH本身存在着读写控制时序复杂和位交换等问题。本课题分析其固有缺点,开发出NAND FLASH控制器,并且为其添加了OPB总线接口,使得控制器可以作为OPB总线的从设备被使用,便于控制器的SOC实现。(1)分析了FLASH Memory产品的现状和发展趋势,对NAND FLASH和NOR FLASH进行了比较,指出了各自的优缺点,阐述了开发基于OPB总线的NAND FLASH控制器的意义。(2)通过分析NAND FLASH组织结构、指令操作和AC特性参数,论述了控制器设计的技术基础,并阐述了OPB总线技术和SOC技术的特点。(3)根据控制器功能和性能方面的基本设计要求,采用模块化设计思想,完成了总线接口模块和控制模块的设计与实现。详细论述了总线接口模块的地址译码模块、数据FIFO、地址FIFO、主控模块的实现方法。具体论述了时钟控制模块的实现方法,给出了状态控制模块中页读取、页编程、块擦除、ID读取、重置、状态读取、查错等指令的状态机设计实现过程。根据ECC算法实现原理,详细阐述了ECC校验码生成、ECC查错与纠错的实现方法。(4)论述了控制器验证环境的组成和各个部分的功能,重点分析了RM的设计,详细论述了RM的AC特性参数检查和状态机跳转检查的实现方法。在此基础上论述了ECC功能验证的方法,给出了指令操作功能仿真的结果。(5)经过综合布线,完成了资源占用分析和静态时序分析,给出了分析结果,并论述了控制器的应用环境,对基于OPB总线的NAND FLASH控制器在SOC环境下进行了指令功能的调试,给出了调试结果。最终的验证表明,本文所设计的基于OPB总线的NAND FLASH控制器的块擦除,页读取、页编程、ID读取、状态读取、重置等操作指令的功能均达到了预期的设计要求。