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随着世界性的能源危机，新能源光伏产业迎来了巨大的发展。其中，晶硅太阳电池已经占据了光伏产业90%以上的份额。制绒工艺对电池的效率至关重要，而不同类型的硅片需采用不同的制绒工艺：单晶硅通常采用KOH碱式制绒；多晶硅（mc-Si）则采用HF/HNO3混酸体系；近年来本课题组研发了基于AgNO3/HF/H2O2溶液体系的金属催化化学刻蚀（MCCE）技术，所制备的多晶黑硅太阳电池效率提升了 0.4%以上。为了进一步扩展MCCE技术的应用，本论文针对类单晶硅（qsc-Si）片和多晶硅片的制绒优化了MCCE技术。 （1）由于有相当一部分的类单晶硅片含有多晶晶粒，采用常规碱制绒和常规酸制绒工艺均无法获得理想的陷光绒面结构，因此需采用 MCCE 技术加以解决。其主要步骤如下：首先分别采用碱式去除表面损伤层（N-DRE）和酸式去除表面损伤层（H-DRE），然后对硅片采用MCCE技术制备黑硅，再通过HF/HNO3修正刻蚀技术制备出约300 nm的微纳米绒面结构，最后制备成电池。结果表明：H-DRE制备的类单晶黑硅太阳电池的效率最高，在18.4-18.9%；常规酸制绒类单晶硅太阳电池效率次之，在17.63-18.45%；而N-DRE制备的类单晶黑硅太阳电池效率最低，在16.79-17.86%。同时，H-DRE制备的类单晶黑硅太阳电池的表面色差得到了有效抑制，说明了MCCE技术能解决类单晶硅片的制绒难题，并提高了效率。 （2）多晶硅制绒通常采用各向同性的HF/HNO3体系获得微米级绒面，电池外观极佳，然而由于陷光效果不佳，电池效率不高；因此，需采用 MCCE 技术获得更好的纳米陷光绒面，从而有效提高电池效率，但是由于其各向异性刻蚀的特征，黑硅电池色差明显。该部分工作在HF/HNO3体系中加入AgNO3，研究其对制绒动力学的影响，并找出优化的工艺参数。通过调控MCCE的温度、时间、浓度、添加剂等参数，成功在砂浆线切多晶硅片上制备出500-1000 nm大小的微纳米绒面结构，并表现出各向同性的刻蚀特征。同时，将优化的工艺应用于金刚线切多晶硅片，也成功地制备出各向同性的微纳米绒面结构，而且所特有的金刚线切平行切割线痕被有效去除。 综上，本工作针对类单晶硅（qsc-Si）片和多晶硅（mc-Si）片，通过优化MCCE工艺参数，提高了效率并改善了各自的缺陷，体现出该技术具有普适性，应用潜力巨大。