【摘 要】
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                                随着通信技术的飞速发展,功率放大器作为发射端的核心部件,在迎来巨大市场前景的同时也面临着许多设计方面的挑战。如何解决功率放大器在转换效率与工作带宽之间的相互制约成为了设计者面临的关键问题。对此,本文首先提出了改进型混合连续类功率放大器,缓解了其理论中带宽拓展与效率退化的矛盾。在此基础上,提出了双功率模式三频带功率放大器设计方案,以适应不同基站、特种设备的发射需求,并利用输入输出谐波联合控制方法进一
                              
  
                             
                           
                                                       
						    
                            
                        
                        
                            
                                论文部分内容阅读
                            
                            
                                随着通信技术的飞速发展,功率放大器作为发射端的核心部件,在迎来巨大市场前景的同时也面临着许多设计方面的挑战。如何解决功率放大器在转换效率与工作带宽之间的相互制约成为了设计者面临的关键问题。对此,本文首先提出了改进型混合连续类功率放大器,缓解了其理论中带宽拓展与效率退化的矛盾。在此基础上,提出了双功率模式三频带功率放大器设计方案,以适应不同基站、特种设备的发射需求,并利用输入输出谐波联合控制方法进一步提升连续类功率放大器的效率与带宽。此外,本文构建了连续类Doherty功率放大器的电路拓扑,提出连续类负载调制方案改善了功率放大器的回退功率效率、带宽与增益。论文的主要内容和创新点如下:1.提出了混合连续类扩展型的改进型高效率负载阻抗解空间,缓解了其理论中带宽拓展与效率退化的矛盾。设计了一款工作在0.8-2.2 GHz的改进型混合连续类功率放大器验证了理论的正确性,其在工作带宽内拥有38.2-42.1 d Bm的输出功率和55%-70.3%的漏极效率。在此基础上,提出了双功率模式三频带功率放大器设计方案,以适应不同基站、特种设备的发射需求,提高了功率放大器的能效转换。该方案采用输出阻带网络迁移方法避免了输出网络的传输零点影响负载阻抗匹配,并提升了带内性能;结合漏极供电切换方法,使功率放大器可以在不同的输出功率下保持高效状态。所实现的双功率模式三频带功率放大器的工作频点为0.9/1.5/2.1 GHz,在低功率模式拥有33.7/35.2/34.7 d Bm的输出功率和71.8%/58.8%/66.6%的漏极效率;在高功率模式有40.0/41.4/41.2 d Bm的输出功率和71.2%/58.6%/68.1%的漏极效率。2.探究了混合连续类功率放大器输入二次谐波分量对其性能的影响,提出了一种输入谐波基波联合控制的效率提升方法。首先,将晶体管非线性电容在栅极产生的二次谐波成分加入理论分析,提高了理论分析的准确性;通过分析实际导通角、漏极电压和电流波形的变化,确立了输入二次谐波分量与输出功率和效率的关系,阐述了输入谐波基波联合控制提升效率的原因。然后通过仿真对照实验进一步验证了该方法对效率的提升作用。为了提升宽带功率放大器的效率,提出了该方法的宽带设计准则并设计了一款工作在1.7-2.8 GHz的宽带高效率功率放大器,其带内的实测漏极效率为61.2%-72.4%。3.分析了Doherty功率放大器的带宽限制因素,基于连续类模式带宽拓展方法,提出了连续类阻抗逆变方法,提升了Doherty功率放大器的回退效率与工作带宽。所设计的宽带Doherty功率放大器在3.3-4.3 GHz的频率范围内,饱和输出功率为43.1-44.3 d Bm,6 d B回退功率漏极效率为46.3%-52.3%。在此基础上,探索了高增益阻抗空间与连续类阻抗空间的公共交集,提出了一种晶体管的等效寄生参数模型,构建了连续类模式Doherty功率放大器的电路拓扑,结合所提出的后匹配辅助谐波控制方法,简化了负载调制网络的设计需求,改善了Doherty功率放大器的带内增益。所设计的高增益Doherty功率放大器在3.1-3.6 GHz的频率范围内,饱和功率为41.8-42.8 d Bm,饱和增益为13.0-15.1 d B,6 d B回退功率附加效率为35.4%-41.1%。
                            
                        
                        
                        
                            其他文献
        
 
                            
                                
                                
                                    阵列雷达大致经历机械扫描雷达、相控阵雷达和多输入多输出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)雷达等发展阶段,通过发射端和接收端的波束形成,扫描空间角度域中的目标。其广泛应用在军事中的预警、探测和火控等场景中,以及民事中的气象、遥感和载具防撞等场景中。其中的MIMO雷达具有角度-时间域波形分集特性,因而比相控阵雷达具有更多的处理自由度,能够获得更优良的目标检测、参                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    随着现代通信等电子信息技术的蓬勃发展,电子系统对高输入带宽、高分辨率、高采样率模数转换器的需求愈来愈大。时间交织逐次逼近模数转换器(Time-Interleaved Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter,TI-SAR ADC)结合了SAR ADC易于用数字工艺实现和时间交织(TI)架构能以多通道数交织达到倍增AD                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    微纳塑料(micro-/nano-plastics,MNPs)被认为是在土壤中普遍存在的一类新型污染物,它们能够影响污染物在环境中的行为,并对生物体产生潜在的不利影响。到目前为止,对于不同浓度、粒径的MNPs对有机污染物在陆地无脊椎动物中的累积影响机制仍不清楚。本研究探讨了土壤中不同浓度(10和100 mg/kg)的聚苯乙烯(polystyrene,PS)微塑料(microplastics,MPs                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    近年来,随着无线通信领域相关技术的快速更新,电子通信系统也开始不断地向多频化、小型化和集成化的方向发展。由于射频集成电路和微波电路结构越来越趋向复杂化多层化,跨尺度封装与设计问题也逐渐被凸显出来。其中,针对集成电路中互连线结构的设计与高效仿真也成为了一个研究的重要方向。由于互连结构通常需要工作在宽频带内,在低频域中可以通过准静态法来进行分析。然而,随着频率升高至微波频段,电场与磁场出现耦合,准静态                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    电磁波作为现代信息传递的载体,在通信,成像,以及医疗等方面都具有重要作用。可见近红外光由于其高频率以及强抗干扰力等特点,成为当前光控研究领域的热点之一。传统的光学元件主要是通过传播过程中相位的累积实现电磁波的操控,例如,利用曲面透明材料制成的光学透镜实现光束聚焦、基于双折射材料实现偏振转换等,但是,其通常具有体积庞大、结构厚重等缺点,难以实现集成化和小型化的器件发展需求。而基于亚波长纳米结构的光学                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    随着人工智能和深度学习的快速发展,面向计算机视觉的生成模型研究获得了广泛的应用。其中,生成对抗网络具有最深远的影响。相较于其他传统的生成模型,生成对抗网络中生成器与鉴别器的对抗训练可以在显著提升生成样本生成质量的同时避免传统生成模型近似或者变分的推导过程。另一方面,由于生成器不直接参与数据分布的学习,这使得生成对抗网络对与数据分布相关的先验知识并不敏感,从而可以更好地生成与数据分布相似但又不完全相                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    半导体材料作为制造光电器件的基本材料,经过一系列化学反应、提纯、拉制、掺杂等加工工艺制成各种半导体元器件,广泛应用在微电子、光伏能源、光电集成等各个领域。随着半导体器件小型化的发展趋势,精确地控制半导体材料中掺杂剖面分布是实现器件特定性能的关键步骤,这对半导体材料和器件的检测技术提出了更严苛的要求。因此,发展无损、非接触、快速、高灵敏度的半导体检测技术是十分必要的。本文基于光载流子辐射测量技术,考                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    转换反应型正极材料因具备高容量、高能量密度优势而被认为是一类极具发展前景的下一代电池材料。本研究中选择了低成本、高活性的硫化物类转换反应型材料,着重探究了Cu S、Fe S2和Fe Sx(1≤x≤1.14)这几类具备优异潜质的过渡金属硫化物材料,揭示了这些物质在电化学过程中的微观和宏观过程。总的来说,本论文完成了对过渡金属硫化物从材料制备、性能测试、机理探究、材料应用到改性尝试的综合评估,为进一步                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    随着信息传输技术以及互联网技术的发展,人们对于移动通信的需求不断增长,全新的应用场景不断涌现,可以预见第五代移动通信(5th Generation,5G)将很快到达其性能的极限,难以满足未来通信需求。超五代(Beyond 5G,B5G)移动通信将在5G通信网络的基础上进一步提高通信速率,拓展通信范围,加强通信的安全性,增强系统的智能性。因此,B5G通信网络需要从多方面进行创新研究,探索新的通信频段                                
                                
                             
							 
                            
                                
                                
                                    氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高临界击穿电场及高饱和电子漂移速率等优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结具有高浓度的二维电子气(2DEG),使得GaN功率器件在高压、大功率、低功耗及小型化方面独具优势,在电动汽车、激光雷达、通用电源设备及数据中心等领域有巨大的应用潜力。但是在高性能GaN器件的新结构、物理特性、制备工艺以及可靠性等方面仍存在诸多挑战:首先在耐压方面,由