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在本研究工作中，用热丝化学气相沉积（HFCVD 或 Cat-CVD）方法，在温度为 300oC-500oC 的单晶 Si(100)衬底上，以 CH4、SiH4和 H2为反应气体制备了β-SiC 薄膜，研究了流量、偏压、衬底温度等沉积参量对β-SiC 薄膜结构、成分和生长速率的影响。实验发现，β-SiC 薄膜的结构和生长速率受 SiH4流量的影响较大，而受 CH4流量的影响较小。适当的负偏压和较高的正偏压都能提高薄膜的