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本文以ZriO-Nb2O5-TiO2陶瓷(简称ZNT陶瓷)为研究对象，采用掺杂氧化物的方式降低其烧结温度。用XRD、SEM等分析手段及开腔谐振法进行测试，对ZnO-Nb2Os-TiO2陶瓷相成分、微观结构及介电性能进行了深入的研究，并探讨了体系微观结构的变化与介电性能之间的关系。主要内容如下：
(1)用Ti4+取代Nb5+的方法来调控ZnO-Nb2O5-xTiO2陶瓷的谐振频率温度系数，并研究该体系的相成分、微观结构及介电性能。发现不掺杂任何助剂的情况下，当x=1.75时，在1050℃时烧结4h后，该材料具有良好的介电性能：εr=44.61，QX f=25313GHz，τf=-12.94 ppm/℃。在此基础上，单独掺杂2.0wt.％的CuO，可将烧结温度降低至1000℃，其介电性能为：εr=42.79，Q×f=13739GHz，τf=-3.98 ppm/℃。
(2)研究了复合掺杂铜和硼的氧化物对ZNT陶瓷的显微组织结构与介电性能的影响及降低ZNT陶瓷烧结温度的机理；发现掺杂2.0wt.％ CuO和2.0wt.％ B2O3，可将ZnO-Nb2O5-1.75TiO2陶瓷的烧结温度降低到975℃，具有良好的介电性能：εr=40，Qxf=17009GHz，τf=-11.67 ppm/℃。
(3)采用添加双重氧化物的方法来进一步降低ZNT陶瓷的烧结温度并可提高其绝缘电阻，但εr和Qxf值又会减小。由于Mg2+起到电价补偿的作用，所以能够改善ZNT材料的介电性能，并显著提高绝缘电阻。发现掺杂2.0wt.％CuO、3.0wt.％2ZnO·3B2O3、0.1mol.％MgO的ZNT陶瓷，在950℃下保温4h后具有良好的介电性能：εr=35.77，Qxf=15298GHz，τf=-0.9ppm/℃，p>2.0×1014Ω·cm。该材料体系与Ag90Pd10电极兼容性良好，可用于制造高可靠性的微波元器件。
(4)用化学法制备出了不同比例和不同反应温度的银钯复合粉，制得的银钯粉纯度高，在35℃下反应生成的Ag90Pd10粉的粒径分布在0.3～0.6μm之间，在0.5μm附近，颗粒出现的相对百分率频率最大，但团聚现象严重。
(5)用溶胶-凝胶法制备出纳米级的ZnTiO3前躯体粉末，再制备成ZriTiO3微波介质陶瓷，并研究了其介电性能。发现了在900℃下烧结、掺杂l.Owt.％ B2O3的ZnTiO3陶瓷，其Qxf=49046GHz，比用固相合成法制备的ZnTiO3陶瓷的Qxf值还高。