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随着电子产品向微型化和集成化的方向发展,电迁移已经成为电子元器件中互连凸点失效所引起的严峻的可靠性问题。微型化下凸点内Sn晶粒个数将急剧减少,β-Sn具有明显的扩散各向异性,导致凸点的电迁移行为不同,因此,研究Sn晶粒取向与微凸点电迁移行为的相互作用机制日趋重要。本论文选用工业界中常用的两种倒装芯片无铅Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P(ENGPIG)和Ni/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu(OSP)凸点为研究对象,研究Sn晶粒取向与电迁移的相互作用,主要包括:(1)实际倒装凸点Sn晶粒