宽禁带半导体SiC、ZnO紫外光电器件的研究

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该论文主要是对SiC、ZnO的紫外光电器件进行研究.全文有五章,其中主要内容有四章,分别简单介绍如下.第二章和第四章分别综述了宽禁带半导体材料SiC、ZnO的性质、制备方法和工艺及器件的研究现状.第三章是对SiC紫外光电器件的研究,详细阐述了我们制备的Au/n-4H-SiC、Ni/n-4H-SiC肖特基紫外探测器的性能测试与分析.实验测得:两种器件均只对200~400nm的紫外光响应;在7V反偏压下,探测器光谱响应峰值Au/n-4H-SiC是86.72mA/W,Ni/n-4H-SiC是45.84mA/W,量子效率最大值Au/n-4H-SiC是37.15%,Ni-4H-SiC18.98%;在室温下,两种器件反向击穿电压均大于200V,反向漏电流均小于10<-10>A.实验显示,SiC肖特基紫外光电探测器具有良好的紫外光谱响应特性和低的反向漏电流,是一种性能优越的紫外探测器.另外,我们也制备了SiC MOS型的初步模型器件,并对其进行了初步的测试和研究.第五章主要研究ZnO的紫外光电特性,详细阐述了我们制备的n-ZnO/p-Si异质结器件的紫外光谱响应特性和紫外受激发射特性.
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