由体硅背刻蚀型FBAR组成的滤波器能够满足目前高性能射频前端滤波的要求，是一种全新的射频滤波器解决方案。基于XX机构给出的技术指标，结合工艺约束条件，设计了一个中心频率1.532GHz、带宽20MHz、带内插损2dB、带内波动0.7dB、带外抑制42dB的体硅背刻蚀型L波段FBAR滤波器。在设计中，针对FBAR滤波器的温度稳定性、窄带宽指标、高频以及高集成度时的电磁干扰问题，给出了相应的解决方案。　　为了提高FBAR的温度稳定性，本文设计了一种外置式的温度补偿结构FBAR，外置温度补偿层除了能够改善FBAR的温度稳定性之外，还能实现支撑层结构增强、FBAR谐振频率后处理工艺修调的功能。分析了补偿层对FBAR温度-频率漂移的影响，通过合理地调节补偿层的厚度，使得FBAR的频率温度系数绝对值从未添加补偿层时的15.87/℃降为0.86/℃，有效地提高了FBAR的温度稳定性。　　为了满足FBAR滤波器的窄带宽指标，本文提出了一种以级联两中心频率不同的FBAR滤波器为主，辅以提高并联/串联FBAR谐振面积比、增加压电叠层内普通声学层厚度的窄带宽FBAR滤波器设计方法。根据各指标的制约关系，得出了综合满足带外抑制、带内插损、带内波动指标以及器件可靠性的20MHz窄带宽FBAR滤波器设计流程。　　针对FBAR滤波器在紧凑空间内集成有多个FBAR单元的结构特点，本文提出了一种FBAR滤波器的电磁兼容性设计。通过推导复合普通声学层FBAR的等效介电常数，利用高频电磁仿真软件实现了FBAR滤波器声场与电磁场的协同仿真，量化评估了FBAR单元之间的电磁干扰情况。通过优化FBAR单元的布局，实现了FBAR滤波器的电磁兼容性设计。