【摘 要】
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SRAM内部晶体管的密度高,同时SRAM占SoC芯片的面积比例高,导致SRAM的漏电流成为SoC芯片漏电流的主要部分。对于经常需要进入睡眠模式的物联网芯片,睡眠状态的静态能量损耗可能比活动状态的动态能量损耗更高,降低SRAM漏电流可以有效节省芯片能耗。降低SRAM在睡眠时的供电电压,可以降低SRAM在不同温度和工艺条件下的漏电流,但供电电压不能无限制下降,否则将无法保证SRAM的数据保持良率,因此
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SRAM内部晶体管的密度高,同时SRAM占SoC芯片的面积比例高,导致SRAM的漏电流成为SoC芯片漏电流的主要部分。对于经常需要进入睡眠模式的物联网芯片,睡眠状态的静态能量损耗可能比活动状态的动态能量损耗更高,降低SRAM漏电流可以有效节省芯片能耗。降低SRAM在睡眠时的供电电压,可以降低SRAM在不同温度和工艺条件下的漏电流,但供电电压不能无限制下降,否则将无法保证SRAM的数据保持良率,因此需要根据最小数据保持电压调整SRAM供电电压。本文以±6δ良率作为设计要求,首先分析了亚阈值沟道电流对于最小数据保持电压的影响,其次分析了极端工艺波动情况下,栅氧层变薄导致的栅极漏电流对于SRAM最小数据保持电压的影响。最终发现相同工艺条件下,40nm工艺SRAM的最小数据保持电压随温度升高而下降;相同温度下,SS、TT、FF工艺条件下的最小数据保持电压依次降低。根据这一现象,本文设计了基于亚阈值区工作的基准电压产生模块,监测温度和工艺条件,根据基准电压产生模块的输出,采用闭环反馈调节的方式调整SRAM在睡眠状态下的供电电压,降低SRAM在不同温度、工艺条件下的漏电流。本文基于40nm工艺设计了一款容量为16KB的低漏电SRAM,与相同工艺下工艺厂商提供的SRAM相比,在25℃环境温度,SRAM在SS、TT、FF工艺条件的漏电流分别降低56%、59.8%、37%,在100℃高温,SS、TT、FF工艺条件的漏电流分别降低74.5%、38.7%、35%。
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背景和目的:1、近年来老年克罗恩病患者越来越多,本文通过比较老年与青壮年CD患者的异同,分析了解老年CD的临床特点;2、探讨老年CD患者预后不良的影响因素,甄别高危患者,为其早期强化治疗提供指导。方法:1、回顾性收集2016年6月～2019年6月在东南大学附属中大医院及东部战区总医院初诊并有随访记录的CD患者的病历资料,通过纳入和排除标准筛选入组病例;2、将纳入的病例根据诊断年龄分为老年组（≥60
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