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该论文主要研究了硅纳米晶粒基MOS存储器结构的荷电特征和长时间存储机理.论文首先研究了硅纳米晶粒中荷电的动力学特征.硅纳米晶粒界面和Si/SiO<,2>界面的陷阱态对存储性能有着重要的影响.在成功地制备硅纳米晶料MOSFET存储器的基础上,实验上较为系统地研究了器件的存储特性.
硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究
【摘 要】
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该论文主要研究了硅纳米晶粒基MOS存储器结构的荷电特征和长时间存储机理.论文首先研究了硅纳米晶粒中荷电的动力学特征.硅纳米晶粒界面和Si/SiO界面的陷阱态对存储性能有着
【机 构】
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南京大学
【出 处】
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南京大学
【发表日期】
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2001年期
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