【摘 要】
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该学位论文着重于择杂对铁电陶瓷和薄膜结构和性能的影响,以及应力对PZT薄膜取向生长的影响的研究.SrBiTaO(SBT)薄膜制备的电容器,具有耐疲劳,长的极长保持等优点,但其抵剩余
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该学位论文着重于择杂对铁电陶瓷和薄膜结构和性能的影响,以及应力对PZT薄膜取向生长的影响的研究.SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>(SBT)薄膜制备的电容器,具有耐疲劳,长的极长保持等优点,但其抵剩余极化值,低居里点及高制备温度,都限制了SBT薄膜在实际中的应用.很多文献报道由SBT和Bi<,3>TiNbO<,9>(BTN)形成的固溶体材料,可以弥补SBT材料的不足,提高了剩余极化和居里点,降低了工艺合成温度等等.但是,有关这些固溶本材料性能变化的机理研究,尚未见报道.该工作用Raman散射技术和X射线衍射研究了固溶体(SrBI<,2>Ta<,2>O<,9>)<,1-x>-(Bi<,3>TiNbO<,9>)<,x>的陶瓷和薄膜的结构和性能随成分x的变化,探讨了铁电性改善的机理.随着x啬,并带来结构上的畸变.根据文献提供了SBT和BTN结构精细及原子位移,计算了两种晶体结构中不同位置的离子位移对晶体自发极化的贡献,并以此来解释两种材料在自发极化值上的差异及固溶体电性能和结构的变化,为进一步的材料发展提供了基础.
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