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摘要：本文主要研究了腐蚀法制备单晶硅选择性发射极太阳能电池。选择性发射极的核心是表面的重/轻掺杂区发射极,本文通过深入的研究最终确定了制备单晶硅选择性发射极太阳能电池的新扩散和腐蚀工艺：重扩散方阻为35Ω/□,腐蚀后非电极区方阻在70-105Ω/□之间为佳。掩膜印刷和电极印刷两者的对位印刷对选择性发射极太阳能电池的制备也很重要,本文通过实验分析了印刷机和刮刀对对位印刷的影响。发现同一台印刷机,同一块正银网版,同一套刮刀,对位精度高；同一台印刷机,正银与掩膜网版配套,印刷掩膜和正银不是同一套