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继Fe/Cr多层膜巨磁电阻效应发现以后,巨磁电阻效应己成为国际研究的热点,人们发现过渡族铁磁金属或合金薄膜与非磁性金属构成多层膜后均可呈现巨磁电阻效应,其中以Co/Cu多层膜的GMR值最高,室温巨磁电阻效应可达65%。除多层膜外,在颗粒膜、隧道结,自旋阀中也发现了巨磁电阻效应。在巨磁电阻效应被发现后的第六年,IBM公司研制成巨磁电阻效应的读出磁头,将磁盘记录密度一下子提高了17倍,达5G b in2,而如今实验室的记录密度可达100G b in2,从而在与光盘的竞争中重新处于领先地位。由于巨磁电阻效