为保护传感器不收外界污染，气密封装工艺已成为MEMS封装中极为重要的一环。本论文的目的是根据目前封装工艺中已有的键合工艺，以等温凝固原理为基础开发一种新型的气密封装方法。所谓等温凝固是指高熔点元素和低熔点元素，在比低熔点元素的熔点略高的恒定温度下反应，形成固溶体或生成金属间化合物的过程。其特点为所形成的固溶体或金属间化合物往往具有比反应温度更高的熔点或相变温度。这一特点运用到键合中，使键合可以在较低温度下进行，而使形成的键合结构能够承受比键合温度更高的温度。 论文选用铜和锡为键合材料，以剪切强度测试、x射线检测、金相显微分析、扫描电镜及能谱分析等为主要检测手段，对等离子体处理，键合气氛，压力以及Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化。结果表明，等离子体处理过程的引入是保证键合质量的决定性因素，在处理功率500瓦，处理时间200秒的条件下，得到了最大的键合强度；而键合气氛对键合质量有显著的影响，在真空环境下，能得到最佳的键合质量；压力对键合质量的影响较小，施加较小的压力既能得到较大的剪切强度；而Sn层厚度对键合质量的影响极小。在最优化条件下，键合结构全部满足美国军方标准(MIL STD883)规定的强度。 论文最后还对铜锡等温凝固键合结构的气密性进行了研究。初步实验表明，键合结构能够满足美国军标中对封装结构气密性的要求。 本论文完成了键合方法的开发，并初步验证了其在MEMS气密封装中应用的可行性，为进一步的实用化研究奠定了基础。