随着电力电子技术的高速发展,高性能和高电压VDMOS功率器件的作用正日益显现出来。近年来我国在VDMOS功率器件的研制方面取得了进展,但在工艺方面还不够成熟。国外的器件由于性能优良及自主产权的优势占据了巨大的市场份额。因此,对工艺流程及工艺控制的研究具有现实意义。本文选取国外一种典型的VDMOS的器件(击穿电压500V、阈值电压3.2V)。用浓硫酸热分解法去除封装及芯片表面的铝层,分析内部引线;通过扫描电镜对芯片表面和横断面进行观察测试,提取器件的表面结构参数及纵向结构参数。基于提取的结构参数,利用Silvaco软件的ATHENA模块设计工艺流程及工艺条件,仿真得到VDMOS的元胞结构模型,将仿真得到的结果导入到器件仿真模块ATLAS中,对元胞的转移特性、输出特性、击穿电压、开关时间等参数进行器件仿真。仿真结果得到VDMOS元胞的击穿电压约为515V,阈值电压约为3.2V,开启时间为0.28μs,关断时间为0.19μs。通过结构剖析、工艺仿真、器件仿真三个步骤完成一次逆向设计。分析栅氧厚度、P阱掺杂浓度和外界温度等对器件性能的影响,结果表明:随栅氧化层厚度及P阱浓度的增加,器件的转移特性逐渐右移,阈值电压增大;且阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大;在-50~125℃温度范围内,阈值电压随温度的升高而下降。